9月26日消息,在今日于韩国举办的英特尔存储产品发布会现场,英特尔展示了大量面向企业和数据中心的产品,但该公司也没忘记带来消费级 SSD 产品线的新惊喜。作为 Intel 600p 的继任者,新款 Intel SSD 665p 采用了相同的慧荣 SM2263 四通道主控,以及每单元 4 比特位的 QLC NAND 闪存。不同的是,新品已升级到了第二代 96 层 3D QLC NAND 。不过并不是采用最新的PCI-e 4.0通道的新系列产品,而是今年一度出现“真香现场”的QLC颗粒固态660p的继承者665p。


英特尔发布新款660p固态硬盘升级版665p,QLC闪存密度加大


据悉,Intel 665p采用了与660p相同的慧荣SM2263四通道控制器,不过在NAND颗粒上革新为了英特尔第二代96层堆栈3D QLC颗粒。因此在缩小了总体芯片尺寸的同时,还能够保留每颗芯片1024GB的容量。不过体积的缩小还是有限的,因此在主控没有变化的情况下,应该不会出现比660p更高容量产品,但是价格应该会有所降低。


英特尔在活动现场展示了665p的速度跑分,在相同的1TB容量下,安装在同一个测试平台中的665p在Beta版的CrystalDiskMark 7软件中比660p的顺序读写速度快40%-50%,随机读写性能提高了30%左右。


英特尔发布新款660p固态硬盘升级版665p,QLC闪存密度加大


(题图 via AnandTech)


在提升存储容量、缩减芯片整体尺寸的同时,IntelSSD665p 依然可以用上单芯 1024GB 的容量。换言之,你不用期待新款的容量和性能会有巨大提升,但可以小小期待一下更低的售价。


现场演示期间,英特尔将搭载了预生产固件的 Intel SSD 665p,与容量同为 1TB 的 660p 展开了对比,且两款 SSD 均安装在同型号的华硕笔记本电脑中。


英特尔发布新款660p固态硬盘升级版665p,QLC闪存密度加大


(图自:Legit Reviews / Nathan Kirsch)


结果 Beta 版的 CrystalDiskMark 7 基准测试表明,Intel SSD 665p 的顺序访问性能提升了 40-50%,随机访问亦提升了 30% 左右。


需要指出的是,驱动器跑分的持续时间较短,且硬盘相对较空,所以这些突发数据只能当做是 SLC 缓存速度的参考。


英特尔发布新款660p固态硬盘升级版665p,QLC闪存密度加大


(图自:Legit Reviews / Nathan Kirsch)


不过 AnandTech 在对比了自家的 Intel SSD 660p 实测成绩后指出,在队列深度足够高的情况下,顺序传输可达到类似的 1.7——1.8 GB/s,因此 665p 的实际 I/O 提升可能仅为 20% 左右。至于缓存耗尽之后的 QLC 闪存的真实性能,以及相较于 TLC 闪存的消费者接纳程度,仍有待时间去检验。



最后,根据 Legit Reviews 的 Nathan Kirsch 分享的 665p 和 660p 的特写照片,可知其在 PCB 局部上基本没有变化 —— 仍为单面 M2-2280 的板型,只需四颗 NAND 就能组成 2TB 版本。


遗憾的是,英特尔尚未透露 665p 的发布日期,但相信我们只需等待数月。价格方面,它应该会与 660p 序列持平、甚至成为市面上最实惠的 NVMe SSD 之一。


当然,目前这样的性能实际都是源于固态中SLC缓存的性能,在SLC高速缓存写满后,96层堆栈的QLC NAND会有什么样的性能还不清楚。不过最近几年,固态硬盘的技术进步确实是肉眼可见的,TLC固态的出现已经使得固态硬盘成为了几乎所有电脑的标配,而QLC固态所需要担负的使命,其实也不过是在消费级市场中基本淘汰机械硬盘吧。至于QLC固态的短寿、低速等问题,现在也已经逐渐被“真香”的售价所掩盖了。


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